Etude et Caractérisation d’une structure électronique de type ITO/PMMA/Pentacène
| dc.contributor.author | Ould Braham Amar | |
| dc.contributor.other | Boughias Ouiza | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-26T11:57:46Z | |
| dc.date.available | 2019-11-26T11:57:46Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description | 48 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | La structure M-I-S (Métal-Isolant-Semi-conducteur), est la base pour la réalisation des transistors. Le travail fis dans ce mémoire est une étude d’une structure électronique de type ITO/PMMA/PENTACENE (MIS) pour réaliser un transistor organique à effet de champ (OFET), pour cela nous avons abordé les transistors MOS à effet de champ (MOSFET) en premier, et l’introduction des matériaux organiques dans les MOSFET, nous donne les transistors organiques à effet de champ( OFET). Les transistors à base de ces matériaux sontdevenusintéressantgrâce à denombreux atouts dont on peut citer : Bas coût de fabrication ; le support de fabrication être flexible comme le papier, alors cette électronique devient souple et légère et moins coûteuse. | en |
| dc.identifier.citation | Instrumentation | |
| dc.identifier.other | ING.ELN.22-12 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/8289 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | OFET | en |
| dc.subject | ITO / PMMA. | en |
| dc.title | Etude et Caractérisation d’une structure électronique de type ITO/PMMA/Pentacène | en |
| dc.type | Thesis | en |