Détection et amplification d'un signal optique ranan sur des couches ultraminces de semi- conducteurs lamellaires de GaSe et InSe.
| dc.contributor.author | Amara, Lounés | |
| dc.date.accessioned | 2017-03-21T08:42:01Z | |
| dc.date.available | 2017-03-21T08:42:01Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description | 131 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | La compréhension des théories Raman et photoluminescence ainsi que leurs mises en pratiques on mit en évidence les caractéristiques vibratoires et électroniques des lamellaires semiconducteurs en couches minces de GaSe et InSe . Ce qui a permis leur évolution vers une bonne qualité pour des épaisseurs supérieure à 500 A° par comparaison avec leurs massifs. Puis, on a démontré par la théorie et l’expérience la linéarité de l’intensité Raman avec l’épaisseur de l’échantillon. On a conclu à l’impossibilité de mettre en évidence les spectres Raman des couches ultra-minces d’épaisseurs inférieures à 500 A°. Ce qui nous a amené a imaginé le système hétérostructure (GaSe / SiO2 / Ag ) pour amplifier et détecter le signal optique. Ce qui s’est avéré réalisable pour une géométrie optique (Incidence presque rasante) où le coefficient d’absorption est assez grand et ce pour des couches ultra-mince de GaSe d’épaisseur e = 450 A°. L’analyse des spectres Raman de, ces couches ultra-minces par rapport aux spectres des couches minces et massives de GaSe étudiées le confirme. En effet, on y retrouve les raies de vibrations Raman obtenues par les mêmes géométries optiques avec des analyses répétitives sur deux échantillons différents. Il est, alors, possible d’appliquer ce système d’amplification, pour augmenter l’absorption optique d’une certaine onde monochromatique dans une diode photovoltaïque au silicium ou tout autre semi-conducteur afin d’y augmenter la conduction électrique. Mots clés utilisés : Signal Raman optique -- Lamellaires semi-conducteurs GaSe et InSe-- | en |
| dc.identifier.citation | Option : Microélectronique | en |
| dc.identifier.other | MAG.ELN.87-12 | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/569 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | Signal Raman optique | en |
| dc.subject | Lamellaires semi-conducteurs GaSe et InSe | en |
| dc.subject | Détection et amplification | en |
| dc.subject | Spectre Raman | en |
| dc.subject | Système hétérostructures | en |
| dc.title | Détection et amplification d'un signal optique ranan sur des couches ultraminces de semi- conducteurs lamellaires de GaSe et InSe. | en |
| dc.type | Thesis | en |